NTE5512 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5512. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 13 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 400 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 3.2 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 5 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 60 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 200 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 200 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..100 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 4 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.2 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2.15 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 8 mA
Ток удержания IH 10 mA
Корпус TO-213AA

NTE5512 - English Version

Поиск замены для NTE5512

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5512 Datasheet. Страница #1

NTE5512
 datasheet

Страница #2

NTE5512
 datasheet #2

Описание

NTE5511 thru NTE5513 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 5 Amp, TO66 Description: The NTE5511 thru NTE5513 all-diffused, three junction, silicon controlled rectifiers (SCR’s) are in- tended for use in power-control and power-switching applications. These devices are available in a TO66 type package and have a blocking voltage capability of up to 600V and a forward current rating of 5A (rms value) at a case temperature of +75°C. Features: D Designed Especially for High-Volume System