NTE5515 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5515. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 20 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 400 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 20 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 200 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 100 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..100 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 1.3 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 2 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.9 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 25 mA
Ток удержания IH 50 mA

NTE5515 - English Version

Поиск замены для NTE5515

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5515 Datasheet. Страница #1

NTE5515
 datasheet

Страница #2

NTE5515
 datasheet #2

Описание

NTE5514 thru NTE5516 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 20 Amp, 1/2” Press Fit Absolute Maximum Ratings: Repetitive Peak Off-State Voltage (TJ = +100°C), VDRM NTE5514 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5515 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V NTE5516 . . . . . . . . . . . . .