NTE5539 DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5539. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Корпус TO-218

NTE5539 - English Version

Поиск замены для NTE5539

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5539 Datasheet. Страница #1

NTE5539
 datasheet

Страница #2

NTE5539
 datasheet #2

Описание

NTE5539 & NTE5540 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 55 Amps, TO218 Features: D High Voltage Capability D High Surge Capability D Glass Passivated Chip Electrical Characteristics: (TA = +25°C, 60Hz, Resistive load unless otherwise specified) Repetitive Peak Off-State Forward & Reverse Voltage, VDRM, VRRM NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V NTE5540 . . . . . . . . . . . . .