NTE5547 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5547. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 20 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 35 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 300 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 100 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..150 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 1.4 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 2 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 30 mA
Ток удержания IH 50 mA
Корпус TO-208AA

NTE5547 - English Version

Поиск замены для NTE5547

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5547 Datasheet. Страница #1

NTE5547
 datasheet

Страница #2

NTE5547
 datasheet #2

Описание

NTE5541 thru NTE5548 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 35 Amp, TO48 Description: The NTE5541 thru NTE5548 are silicon controlled rectifiers (SCR) packaged in a TO48 type case designed for industrial and consumer applications such as power supplies; battery chargers; temper- ature, motor, light and welder controls. Absolute Maximum Ratings: Repetitive Peak Off-State Voltage (TJ = +100C) VDRM NTE5541 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .