NTE5553 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5553. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 100 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1600 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 160 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 780 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 4650 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 500 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 200 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.1 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.75 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 150 mA
Ток удержания IH 600 mA
Корпус TO-200AB

NTE5553 - English Version

Поиск замены для NTE5553

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5553 Datasheet. Страница #1

NTE5553
 datasheet

Страница #2

NTE5553
 datasheet #2

Описание

NTE5551 & NTE5553 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 750 Amp, TO200AB Absolute Maximum Ratings: (TJ = +125°C unless otherwise specified) Repetitive Peak Voltages, VRRM, VDRM, VDSM NTE5551 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE5553 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V Non-Repetitive P