NTE5554 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5554. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 20 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 400 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 16 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 25 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 300 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 50 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 1.5 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.8 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 40 mA
Ток удержания IH 35 mA
Корпус TO-220

NTE5554 - English Version

Поиск замены для NTE5554

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5554 Datasheet. Страница #1

NTE5554
 datasheet

Страница #2

NTE5554
 datasheet #2

Описание

NTE5550 thru NTE5558 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 25 Amp, TO220 Description: The NTE5550 thru NTE5558 SCR’s are designed primarily for half-wave AC control applications, such as motor controls, heating controls and power supply crowbar circuits. Features: D Glass Passivated Junctions with Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stability. D Small, Rugged, Thermowatt Constructed for Low Thermal Resistance, High Heat Dissipation and Durability. D Blocking Voltage