NTE5582 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5582. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 150 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 275 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 3200 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 200 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 200 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.14 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.7 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 150 mA
Корпус TO-209AB

NTE5582 - English Version

Поиск замены для NTE5582

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5582 Datasheet. Страница #1

NTE5582
 datasheet

Страница #2

NTE5582
 datasheet #2

Описание

NTE5580 thru NTE5585 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 275 Amp, TO93 Features: D Center Fired Gate D All Diffused Design D Low Gate Current D Low Thermal Impedance D High Surge Electrical Characteristics: Repetitive Peak Off-State and Reverse Voltage, VDRM & VRRM NTE5580 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5582 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .