NTE5595 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5595. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 120 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 820 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 1640 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 11500 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 500 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 500 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.04 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.75 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 200 mA
Ток удержания IH 1000 mA
Корпус TO-200AC

NTE5595 - English Version

Поиск замены для NTE5595

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5595 Datasheet. Страница #1

NTE5595
 datasheet

Страница #2

NTE5595
 datasheet #2

Описание

NTE5561, NTE5594 thru NTE5596 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 850 Amp, TO200AC Ratings: (Maximum Values at TJ = +125°C unless otherwise specified) Repetitive Peak Voltage, VDRM NTE5561 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V NTE5594 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5595 . . . .