NTE5600 Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5600. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 10 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 25 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 30 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 5 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 75 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 3.5 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.4 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 30 mA
Ток удержания IH 30 mA
Корпус TO-225

NTE5600 - English Version

Поиск замены для NTE5600

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5600 Datasheet. Страница #1

NTE5600
 datasheet

Страница #2

NTE5600
 datasheet #2

Описание

NTE5600 thru NTE5607 TRIAC, 4 Amp Description: The NTE5600 through NTE5607 TRIACs are designed primarily for full–wave AC control applications such as light dimmers, motor controls, heating controls and power supplies; or wherever full–wave silicon gate controlled solid–state devices are needed. TRIAC type thyristors switch from a blocking to a conducting state for either polarity of applied anode voltage with positive or negative gate triggering. Features: D 2 Mode Gate Trigger