NTE5608 Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5608. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 10 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 400 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 70 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 50 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 60 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 3 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 2.5 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.85 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 10 mA
Ток удержания IH 10 mA
Корпус TO-220

NTE5608 - English Version

Поиск замены для NTE5608

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5608 Datasheet. Страница #1

NTE5608
 datasheet

Страница #2

NTE5608
 datasheet #2

Описание

NTE5608 thru NTE5610 TRIAC 8 Amp Description: The NTE5608 through NTE5610 series of TRIACs are high performance glass passivated PNPN devices in a TO220 type package designed for general purpose applications where moderate gate sensitivity is required. Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Repetitive Peak Off–State Voltage (TJ = –40° to +125°C, RGK = 1kΩ), VDRM NTE5608 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .