NTE5629 Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5629. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 15 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 400 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 40 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 10 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 4 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 2 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.6 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 3 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-202

NTE5629 - English Version

Поиск замены для NTE5629

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5629 Datasheet. Страница #1

NTE5629
 datasheet

Страница #2

NTE5629
 datasheet #2

Описание

NTE5629 TRIAC – 400VRM, 4Amp Description: The NTE5629 TRIAC is a bi–directional triode thyristor in a TO202 type case. This device may be switched from off–state to conduction for either polarity of applied voltage with positive or negative gate–trigger current. The NTE5629 can be driven directly with IC and MOS devices and is designed for control applications in lighting, heating, cooling, and static switching relays. Absolute Maximum Ratings: Repetitive Peak Off–State Volt