NTE5651 Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5651. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 20 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 200 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 3 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 30 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 3 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..90 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 4 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 2.2 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.85 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 3 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-205AA

NTE5651 - English Version

Поиск замены для NTE5651

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5651 Datasheet. Страница #1

NTE5651
 datasheet

Страница #2

NTE5651
 datasheet #2

Описание

NTE5650 thru NTE5653 TRIAC – 100VRM, 2.5A Description: The NTE5650 through NTE5653 sensitive gate TRIACs are designed to be driven directly with IC and MOS devices. These devices features a void–free glass passivated chip and are hermetically sealed in TO–5 outline cans. The NTE5650 through NTE5653 are bi–directional triode thyristors and may be switched from off– state to conduction for either polarity of applied voltage with positive or negative gate–trigger current and