NTE5655 Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE5655. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 20 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 200 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 0.8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 8 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 10 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..100 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 75 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 2.2 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.9 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 5 mA
Ток удержания IH 15 mA
Корпус TO-92

NTE5655 - English Version

Поиск замены для NTE5655

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE5655 Datasheet. Страница #1

NTE5655
 datasheet

Страница #2

NTE5655
 datasheet #2

Описание

NTE5655 thru NTE5657 TRIAC – 800mA Sensitive Gate Description: The NTE5655 through NTE5657 are 800mA sensitive gate TRIACs in a TO92 type package designed to be driven directly with IC and MOS devices. These TRIACs feature void–free glass passivated chips. These NTE devices are bi–directional triode thyristors and may be switched from off–state to conduc- tion for either polarity of applied voltage with positive or negative gate trigger current. They are de- signed for contro