NTE6403 Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE6403. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 1 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 5 A
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -55..125 °C
Ток удержания IH 0.5 mA
Корпус TO-92

NTE6403 - English Version

Поиск замены для NTE6403

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE6403 Datasheet. Страница #1

NTE6403
 datasheet

Страница #2

NTE6403
 datasheet #2

Описание

NTE6403 Integrated Circuit Silicon Bilateral Switch (SBS) Description: The NTE6403 is a silicon planer, monolithic integrated circuit having the electrical characteristics of a bilateral thyristor. This device is designed to switch at 8 volts with a 0.02%/°C temperature coeffi- cient and excellently matched characteristics in both directions. A gate lead is provided to eliminate rate effect and to obtain triggering at lower voltages. The NTE6403 is specifically designed and character