NTE6412 Reverse-dinistor DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE6412. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Reverse-dinistor
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 63 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 1.5 A
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 278 K/W
Корпус DO-204AH

NTE6412 - English Version

Поиск замены для NTE6412

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE6412 Datasheet. Страница #1

NTE6412
 datasheet

Страница #2

NTE6412
 datasheet #2

Описание

NTE6407, NTE6408, NTE6411, NTE6412 Bilateral Trigger Diodes (DIACS) Description: The NTE6407 thru NTE6412 are bilateral trigger DIACs offering a range of voltage characteristics from 28V to 63V. These devices are triggered from a blocking–to–conduction state for either polarity of applied voltage whenever the amplitude of applied voltage exceeds the breakover voltage rating of the DIAC. Features: D Glass–Chip Passivation D DO35 Type Trigger Package D Wide Voltage Range Select