NTE6418 Reverse-dinistor DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NTE6418. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Reverse-dinistor
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 104 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 1 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 13 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 50 A/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -30..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 15 K/W
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.5 V
Ток удержания IH 50 mA
Корпус DO-204AH

NTE6418 - English Version

Поиск замены для NTE6418

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NTE6418 Datasheet. Страница #1

NTE6418
 datasheet

Страница #2

NTE6418
 datasheet #2

Описание

NTE6415 thru NTE6419 Bidirectional Thyristor Diodes (SIDAC) Description: The NTE6415 through NTE6419 SIDAC devices are silicon bilateral voltage triggered switches with greater power handling capabilities than standard DIACs. Upon application of a voltage exceeding the SIDAC breakover voltage point, the SIDAC switches on through a negative resistance region to a low on–state voltage. Conduction will continue until the current is interrupted or drops below the minimum holding current