NYC0102B SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

NYC0102B. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 200 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 0.25 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 7 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Корпус SOT-23

NYC0102B - English Version

Поиск замены для NYC0102B

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

NYC0102B Datasheet. Страница #1

NYC0102B
 datasheet

Страница #2

NYC0102B
 datasheet #2

Описание

NYC0102BLT1G Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Designed and tested for highly-sensitive triggering in low-power switching applications. http://onsemi.com Features • High dv/dt 0.25 AMP, 200 VOLT SCRs • Gating Current < 200 mA • Miniature SOT-23 Package for High Density PCB • SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique G Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and A K PPAP Capable • These De