PGH50N8 SCR-module DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

PGH50N8. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR-module
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 1 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 50 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 1200 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 100 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 500 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..150 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.35 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 2.5 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.15 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 100 mA
Ток удержания IH 80 mA

PGH50N8 - English Version

Поиск замены для PGH50N8

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

PGH50N8 Datasheet. Страница #1

PGH50N8
 datasheet

Страница #2

PGH50N8
 datasheet #2

Описание

PGH50N8 THYRISTOR 50A Avg 800 Volts ■回路図 CIRCUIT ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格・特性 Part of Diode Bridge & Thyristor ■最大定格 Maximum Rating 項 目 記号 単位 条件 定格値 Parameter Symbol Unit Conditions Max. Rated Value 平均出力電流 T =125℃(電圧印加なし) C 三相全波整流 50 Average Rectified Output Current Non-Biased for Thyristor Io A (AV) 3-Phase Fu