PSKT56-08IO8 SCR-module DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

PSKT56-08IO8. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR-module
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.5 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 64 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 100 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 1500 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 150 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 1000 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.45 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.5 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.57 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 100 mA
Ток удержания IH 200 mA
Корпус TO-240

PSKT56-08IO8 - English Version

Поиск замены для PSKT56-08IO8

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

PSKT56-08IO8 Datasheet. Страница #1

PSKT56-08IO8
 datasheet

Страница #2

PSKT56-08IO8
 datasheet #2

Описание

ITRMS = 2 x 100 A Thyristor Modules PSKT 56 ITAVM = 2 x 64 A Thyristor/Diode Modules PSKH 56 VRRM = 800-1800 V Preliminary Data Sheet 3 TO-240 AA 6 2 7 1 4 5 VRSM VRRM Type VDSM VDRM V V Version 1 Version 8 900 800 PSKT 56/08io1 PSKH 56/08io1 PSKT 56/08io8 PSKH 56/08io8 1300 1200 PSKT 56/12io1 PSKH 56/12io1 PSKT 56/12io8 PSKH 56/12io8 3 6 7 1 5 4 2 1500 1400 PSKT 56/14io1 -- PSKT 56/14io8 PSKH 56/14io8 1700 1600 PSKT 56/16io1 PSKH 56/16io1 PSKT 56/16io8 PSKH 56/16io8 19