R1127NC32S SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

R1127NC32S. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 3200 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 1127 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 12800 A
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj ..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.02 K/W
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 0.47 V

R1127NC32S - English Version

Поиск замены для R1127NC32S

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

R1127NC32S Datasheet. Страница #1

R1127NC32S
 datasheet

Страница #2

R1127NC32S
 datasheet #2

Описание

Date:- 18 Feb, 2003 Data Sheet Issue:- 2 Distributed Gate Thyristor Type R1127NC32# to R1127NC36# (Old Type Number: D315CH21-36) Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS V Repetitive peak off-state voltage, (note 1) 3200-3600 V DRM VDSM Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1) 3200-3600 V V Repetitive peak reverse voltage, (note 1) 3200-3600 V RRM V Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1) 3300-3700 V RSM MAXIMUM OTHER RATINGS UNITS LIMITS I