R1275NC21J SCR DATASHEET

R1275NC21J. Основные параметры

Параметр	Обозначение	Величина	Ед.изм.
Тип		SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии	VDRM	2100	V
Максимальный средний ток в открытом состоянии	IT(AVR)	1275	A
Ударный ток в открытом состоянии	ITSM	15500	A
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения	Tstg, Tj	..125	°C
Тепловое сопротивление переход-корпус	RTH(j-c)	0.02	K/W
Импульсное напряжение в открытом состоянии	VTM	0.34	V

R1275NC21J - English Version

Поиск замены для R1275NC21J

Символ		Значение	Ед.Изм.
Тип
PGM	>		W
VDRM	>		V
IT(AVR)	>		A
IT(RMS)	>		A
ITSM	>		A
dI/dt	>		A/µs
dV/dt	>		V/µs
Tstg, Tj	>		°C
RTH(j-a)	<		K/W
RTH(j-c)	<		K/W
VGT	<		V
VTM	<		V
IGT	<		mA
IH	<		mA
Корпус

Поиск

R1275NC21J Datasheet. Страница #1

Страница #2

Описание

Date:- 01 August 2012 Data Sheet Issue:- 3 Distributed Gate Thyristor Types R1275NC14x to R1275NC21x Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VDRM Repetitive peak off-state voltage, (note 1) 1400-2100 V VDSM Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1) 1400-2100 V VRRM Repetitive peak reverse voltage, (note 1) 1400-1800 V VRSM Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1) 1500-1900 V MAXIMUM OTHER RATINGS UNITS LIMITS IT(AV)M Maximum average