R2475ZC28M SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

R2475ZC28M. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 2800 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 2475 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 31000 A
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj ..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.01 K/W
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 0.17 V

R2475ZC28M - English Version

Поиск замены для R2475ZC28M

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

R2475ZC28M Datasheet. Страница #1

R2475ZC28M
 datasheet

Страница #2

R2475ZC28M
 datasheet #2

Описание

Date:- 9 May, 2003 Data Sheet Issue:- 1 Distributed Gate Thyristor Type R2475ZC20# to R2475ZC28# (Old Type Number: R500CH28) Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS V Repetitive peak off-state voltage, (note 1) 2000-2800 V DRM VDSM Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1) 2000-2800 V V Repetitive peak reverse voltage, (note 1) 2000-2800 V RRM V Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1) 2100-2900 V RSM MAXIMUM OTHER RATINGS UNITS LIMITS I Max