R3370ZD12E SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

R3370ZD12E. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1200 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 3370 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 43900 A
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj ..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.01 K/W
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 0.06 V

R3370ZD12E - English Version

Поиск замены для R3370ZD12E

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

R3370ZD12E Datasheet. Страница #1

R3370ZD12E
 datasheet

Страница #2

R3370ZD12E
 datasheet #2

Описание

Date:- 13 May, 2003 Data Sheet Issue:- 1 Distributed Gate Thyristor Type R3370ZC10# to R3370ZC12# Old Type No.: R1200CH10-12 Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS V Repetitive peak off-state voltage, (note 1) 1000-1200 V DRM V Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1) 1000-1200 V DSM V Repetitive peak reverse voltage, (note 1) 1000-1200 V RRM V Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1) 1100-1300 V RSM MAXIMUM OTHER RATINGS UNITS LIMITS I M