R3636EC16N SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

R3636EC16N. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1600 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 3636 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 38900 A
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj ..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.01 K/W
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 0.16 V

R3636EC16N - English Version

Поиск замены для R3636EC16N

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

R3636EC16N Datasheet. Страница #1

R3636EC16N
 datasheet

Страница #2

R3636EC16N
 datasheet #2

Описание

Date:- 30 Mar, 2007 Data Sheet Issue:- 1 WESTCODE An IXYS Company Distributed Gate Thyristor Types R3636EC16# to R3636EC20# Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS (Note 1) UNITS LIMITS V Repetitive peak off-state voltage 1600-2000 V DRM V Non-repetitive peak off-state voltage 1600-2000 V DSM VRRM Repetitive peak reverse voltage 1600-2000 V V Non-repetitive peak reverse voltage 1700-2100 V RSM MAXIMUM OTHER RATINGS UNITS LIMITS I Maximum average on-state current,