S08U50-600A SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

S08U50-600A. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.1 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 0.8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 10 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 20 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 150 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 75 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.7 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.05 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-92

S08U50-600A - English Version

Поиск замены для S08U50-600A

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

S08U50-600A Datasheet. Страница #1

S08U50-600A
 datasheet

Страница #2

S08U50-600A
 datasheet #2

Описание

LITE-ON S08-A SERIES SEMICONDUCTOR Sensitive Gate SCRs Sillicon Controlled Rectifiers 0.8 AMPERES RMS 600 VOLTS Reverse Blocking Thyristors TO-92 (TO-226AA) FEATURES Sensitive Gate Allows Triggering by Microcontrollers and Other TO-92 Logic Circuits DIM. MIN. MAX. Blocking Voltage to 600 Volts A 4.45 4.70 On– State Current Rating of 0.8 Amperes RMS at 80℃ B 4.32 5.33 High Surge Current Capability — 10 Amperes C 3.18 4.19 Minimum and Maximum Values of IGT, VGT an