S1PHB55-12 SCR-module DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

S1PHB55-12. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR-module
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1200 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 55 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 1000 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj ..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.9 K/W

S1PHB55-12 - English Version

Поиск замены для S1PHB55-12

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

S1PHB55-12 Datasheet. Страница #1

S1PHB55-12
 datasheet

Страница #2

S1PHB55-12
 datasheet #2

Описание

S1PHB55 Single Phase Half Controlled Bridge With Free Wheeling Diode Dimensions in mm (1mm=0.0394") Type VRSM VRRM VDSM VDRM V V S1PHB55-08 900 800 S1PHB55-12 1300 1200 S1PHB55-14 1500 1400 S1PHB55-16 1700 1600 S1PHB55-18 1900 1800 Symbol Test Conditions Maximum Ratings Unit IdAV TK=85oC, module 55 A IdAVM module 55 IFRMS, ITRMS per leg 41 TVJ=45oC t=10ms (50Hz), sine 550 VR=0 t=8.3ms (60Hz), sine 600 ITSM, IFSM A TVJ=TVJM t=10ms(50Hz), sine 500 VR=0 t=8.3ms(60Hz), sine 5