S4M02-600F SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

S4M02-600F. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.1 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 25 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 10 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 75 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 7 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.2 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-225

S4M02-600F - English Version

Поиск замены для S4M02-600F

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

S4M02-600F Datasheet. Страница #1

S4M02-600F
 datasheet

Страница #2

S4M02-600F
 datasheet #2

Описание

LITE-ON S4M02-600F SEMICONDUCTOR Sensitive Gate SCRs Sillicon Controlled Rectifiers 4 AMPERES RMS Reverse Blocking Thyristors 600 VOLTS TO-126 FEATURES Glass-Passivated Surface for Reliability and Uniformity Power Rated at Economical Prices Practical Level Triggering and Holding Characteristics Flat, Rugged, Thermopad Construction for Low Thermal Resistance, High Heat Dissipation and Durability PIN ASSIGNMENT 1 Cathode 2 Anode 3 Gate MAXIMUM RATINGS (Tj= 25℃unless otherwi