S8M02-600B SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

S8M02-600B. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.5 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 80 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 100 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 15 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 62.5 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 2.2 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.65 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.8 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.03 mA
Ток удержания IH 0.5 mA
Корпус TO-220AB

S8M02-600B - English Version

Поиск замены для S8M02-600B

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

S8M02-600B Datasheet. Страница #1

S8M02-600B
 datasheet

Страница #2

S8M02-600B
 datasheet #2

Описание

LITE-ON S8M02-B SERIES SEMICONDUCTOR Sensitive Gate SCRs Sillicon Controlled Rectifiers 8 AMPERES RMS Reverse Blocking Thyristors 600 thru VOLTS TO-220AB FEATURES TO-220AB B L Blocking Voltage to 600 Volts DIM. MIN. MAX. M A On-State Current Rating of 8 Amperes RMS at 80℃ C 14.22 15.88 D B 9.65 10.67 High Surge Current Capability - 80 Amperes C A 2.54 3.43 Rugged, Economical TO220AB Package K D 5.84 6.86 Glass Passivated Junctions for Reliability and Uniformit