SDT60GK08 SCR-module DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

SDT60GK08. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR-module
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 60 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 100 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 1500 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 1000 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj ..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.45 K/W

SDT60GK08 - English Version

Поиск замены для SDT60GK08

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

SDT60GK08 Datasheet. Страница #1

SDT60GK08 datasheet

Страница #2

SDT60GK08 datasheet #2

Описание

STD/SDT60 Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules Dimensions in mm (1mm=0.0394") Type VRSM VRRM VDSM VDRM V V STD/SDT60GK08 900 800 STD/SDT60GK12 1300 1200 STD/SDT60GK14 1500 1400 STD/SDT60GK16 1700 1600 STD/SDT60GK18 1900 1800 Symbol Test Conditions Maximum Ratings Unit ITRMS, IFRMS TVJ=TVJM 100 A ITAVM, IFAVM TC=85oC; 180o sine 60 TVJ=45oC t=10ms (50Hz), sine 1500 VR=0 t=8.3ms (60Hz), sine 1600 ITSM, IFSM A TVJ=TVJM t=10ms(50Hz), sine 1350 VR=0 t=8.3ms(60Hz), sin