SEMIX302KT16S SCR-module DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

SEMIX302KT16S. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR-module
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1600 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 300 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 9300 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 130 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 1000 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..130 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.09 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.7 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 200 mA
Ток удержания IH 150 mA

SEMIX302KT16S - English Version

Поиск замены для SEMIX302KT16S

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

SEMIX302KT16S Datasheet. Страница #1

SEMIX302KT16S
 datasheet

Страница #2

SEMIX302KT16S
 datasheet #2

Описание

SEMiX302KT16s Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit Chip IT(AV) Tc =85°C 300 A sinus 180° Tc =100°C 230 A ITSM Tj =25°C 9300 A 10 ms Tj =130°C 8000 A i2t Tj =25°C 432000 A²s 10 ms Tj =130°C 320000 A²s VRSM 1700 V SEMiX® 2s VRRM 1600 V VDRM 1600 V (di/dt)cr Tj = 130 °C 130 A/µs (dv/dt)cr Tj = 130 °C 1000 V/µs Rectifier Thyristor Module Tj -40 ... 130 °C SEMiX302KT16s Module Tstg -40 ... 125 °C Features Visol 1min 4000 V AC sinus 50Hz