SK35BZ12 SCR-module DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

SK35BZ12. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR-module
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1200 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 25 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 370 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 50 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 1000 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 1.7 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 2 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.2 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 100 mA
Ток удержания IH 80 mA

SK35BZ12 - English Version

Поиск замены для SK35BZ12

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

SK35BZ12 Datasheet. Страница #1

SK35BZ12
 datasheet

Страница #2

SK35BZ12
 datasheet #2

Описание

SK 35 BZ Characteristics Symbol Conditions Values Units SEMITOP® 2 1-phase bridge rectifier with one diode arm and one thyristor arm SK 35 BZ Thyristor