SK75TAE12 SCR-module DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

SK75TAE12. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR-module
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1200 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 75 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 1250 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 125 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 500 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..130 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.6 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.98 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.2 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 100 mA
Ток удержания IH 250 mA

SK75TAE12 - English Version

Поиск замены для SK75TAE12

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

SK75TAE12 Datasheet. Страница #1

SK75TAE12
 datasheet

Страница #2

SK75TAE12
 datasheet #2

Описание

SK 75 TAE Characteristics Symbol Conditions Values Units SEMITOP®2 Thyristor and Diode separated in the same Thyristor housing SK 75 TAE Target Data