SKKT58-16E SCR-module DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

SKKT58-16E. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR-module
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1600 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 55 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 1500 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 140 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 1000 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..130 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.47 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 2.5 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.75 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 100 mA
Ток удержания IH 150 mA
Корпус SEMIPACK1

SKKT58-16E - English Version

Поиск замены для SKKT58-16E

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

SKKT58-16E Datasheet. Страница #1

SKKT58-16E
 datasheet

Страница #2

SKKT58-16E
 datasheet #2

Описание

SKKT 58/16 E Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit Chip IT(AV) Tc =85°C 55 A sinus 180° Tc =100°C 41 A ITSM Tj =25°C 1500 A 10 ms Tj =130°C 1200 A i2t Tj =25°C 11250 A²s 10 ms Tj =130°C 7200 A²s VRSM 1700 V SEMIPACK® 1 VRRM 1600 V VDRM 1600 V Thyristor Modules (di/dt)cr Tj = 130 °C 140 A/µs (dv/dt)cr Tj = 130 °C 1000 V/µs Tj -40 ... 130 °C SKKT 58/16 E Module Tstg -40 ... 125 °C Features Visol 1min 3000 V a.c.; 50 Hz; r.m.s. 1s •