SKT1200-18E SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

SKT1200-18E. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1800 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 1200 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 30000 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 125 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 1000 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.02 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.65 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 250 mA
Ток удержания IH 250 mA

SKT1200-18E - English Version

Поиск замены для SKT1200-18E

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

SKT1200-18E Datasheet. Страница #1

SKT1200-18E
 datasheet

Страница #2

SKT1200-18E
 datasheet #2

Описание

SKT 1200/18 E Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit Chip IT(AV) Tc =85°C 1200 A sinus 180° Tc =100°C 840 A ITSM Tj =25°C 30000 A 10 ms Tj =125°C 25500 A i2t Tj =25°C 4500000 A²s 10 ms Tj =125°C 3251250 A²s VRSM 1800 V Capsule Thyristor VRRM 1800 V VDRM 1800 V (di/dt)cr Tj = 125 °C 125 A/µs (dv/dt)cr Tj = 125 °C 1000 V/µs Line Thyristor Tj -40 ... +125 °C SKT 1200/18 E Module Tstg -40 ... +130 °C Features Characteristics • Hermetic