SM2GZ47A Triac DATASHEET
Параметр | Обозначение | Величина | Ед.изм. |
---|---|---|---|
Тип |
Triac | ||
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе |
PGM | 3 | W |
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии |
VDRM | 400 | V |
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии |
IT(RMS) | 2 | A |
Ударный ток в открытом состоянии |
ITSM | 8 | A |
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения |
Tstg, Tj | -40..125 | °C |
Тепловое сопротивление переход-среда |
RTH(j-a) | 55 | K/W |
Отпирающее постоянное напряжение управления |
VGT | 1 | V |
Импульсное напряжение в открытом состоянии |
VTM | 1.7 | V |
Отпирающий постоянный ток управления |
IGT | 5 | mA |
Ток удержания |
IH | 10 | mA |
Корпус |
TO-220F |
SM2GZ47,SM2GZ47A,SM2JZ47,SM2JZ47A TOSHIBA BI-DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE SM2GZ47,SM2GZ47A,SM2JZ47,SM2JZ47A AC POWER CONTROL APPLICATIONS Unit: mm I = 1A (Ta = 65°C without radiator) T (RMS) Gate Trigger Current : IGT = 5mA Max. (TYPE “A”) Repetitive Peak Off-State Voltage : V = 400V, 600V DRM R.M.S On-State Current : I = 2A (Tc = 110°C) T (RMS) Isolation Voltage : VISOL = 1500V (AC, t = 60s) MAXIMUM RATINGS CHARACTERISTIC SYMBOL