STN1A60 Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

STN1A60. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 1 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.2 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.5 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 5 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-92

STN1A60 - English Version

Поиск замены для STN1A60

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

STN1A60 Datasheet. Страница #1

STN1A60
 datasheet

Страница #2

STN1A60
 datasheet #2

Описание

STN1A60 Logic Level Logic Level Logic Level Logic Level Bi-Directional Triode Thyristor Bi-Directional Triode Thyristor Bi-Directional Triode Thyristor Bi-Directional Triode Thyristor Features Features Features Features ■ Repetitive Peak off-State Voltage: 600V ■ R.M.S On-State Current(I =1A T(RMS) ■ Low on-state voltage: VTM=1.2(typ.)@ ITM ■ Low reverse and forward blocking current: IDR M=500uA@ TC=125℃ ■ Low holding current: IH=4mA (typ.) ■ High Commutation