STT100GK20 SCR-module DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

STT100GK20. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR-module
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 2000 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 100 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 180 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 1700 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 1000 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj ..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.22 K/W

STT100GK20 - English Version

Поиск замены для STT100GK20

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

STT100GK20 Datasheet. Страница #1

STT100GK20
 datasheet

Страница #2

STT100GK20
 datasheet #2

Описание

STT100GKxxB Thyristor-Thyristor Modules Tolerance:+0.5mm - Type VRSM VRRM Dimensions in mm (1mm=0.0394") VDSM VDRM V V STT100GK08B 900 800 STT100GK12B 1300 1200 STT100GK14B 1500 1400 STT100GK16B 1700 1600 STT100GK18B 1900 1800 STT100GK20B 2100 2000 STT100GK22B 2300 2200 Symbol Test Conditions Maximum Ratings Unit ITRMS, IFRMS TVJ=TVJM 157 A ITAVM, IFAVM TC=85oC; 180o sine 100 TVJ=45oC t=10ms (50Hz), sine 1700 VR=0 t=8.3ms (60Hz), sine 1800 ITSM, IFSM A TVJ=TVJM t=10ms(5