STT116GK16 SCR-module DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

STT116GK16. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR-module
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1600 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 116 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 180 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 2250 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 1000 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj ..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.22 K/W

STT116GK16 - English Version

Поиск замены для STT116GK16

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

STT116GK16 Datasheet. Страница #1

STT116GK16
 datasheet

Страница #2

STT116GK16
 datasheet #2

Описание

STT116GKxxB Thyristor-Thyristor Modules Tolerance:+0.5mm - Dimensions in mm (1mm=0.0394") Type VRSM VRRM VDSM VDRM V V STT116GK08B 900 800 STT116GK12B 1300 1200 STT116GK14B 1500 1400 STT116GK16B 1700 1600 STT116GK18B 1900 1800 Symbol Test Conditions Maximum Ratings Unit ITRMS, IFRMS TVJ=TVJM 180 A ITAVM, IFAVM TC=85oC; 180o sine 116 TVJ=45oC t=10ms (50Hz), sine 2250 VR=0 t=8.3ms (60Hz), sine 2400 ITSM, IFSM A TVJ=TVJM t=10ms(50Hz), sine 2000 VR=0 t=8.3ms(60Hz), sine 2150