STT116GK16 SCR-module DATASHEET
Параметр | Обозначение | Величина | Ед.изм. |
---|---|---|---|
Тип |
SCR-module | ||
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии |
VDRM | 1600 | V |
Максимальный средний ток в открытом состоянии |
IT(AVR) | 116 | A |
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии |
IT(RMS) | 180 | A |
Ударный ток в открытом состоянии |
ITSM | 2250 | A |
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии |
dV/dt | 1000 | V/µs |
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения |
Tstg, Tj | ..125 | °C |
Тепловое сопротивление переход-корпус |
RTH(j-c) | 0.22 | K/W |
STT116GKxxB Thyristor-Thyristor Modules Tolerance:+0.5mm - Dimensions in mm (1mm=0.0394") Type VRSM VRRM VDSM VDRM V V STT116GK08B 900 800 STT116GK12B 1300 1200 STT116GK14B 1500 1400 STT116GK16B 1700 1600 STT116GK18B 1900 1800 Symbol Test Conditions Maximum Ratings Unit ITRMS, IFRMS TVJ=TVJM 180 A ITAVM, IFAVM TC=85oC; 180o sine 116 TVJ=45oC t=10ms (50Hz), sine 2250 VR=0 t=8.3ms (60Hz), sine 2400 ITSM, IFSM A TVJ=TVJM t=10ms(50Hz), sine 2000 VR=0 t=8.3ms(60Hz), sine 2150