STT800GK08 SCR-module DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

STT800GK08. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR-module
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 800 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 1256 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 30000 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 1000 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj ..140 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.04 K/W

STT800GK08 - English Version

Поиск замены для STT800GK08

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

STT800GK08 Datasheet. Страница #1

STT800GK08
 datasheet

Страница #2

STT800GK08
 datasheet #2

Описание

STT800GKXXPT Thyristor-Thyristor Modules Colerance:+0.5mm - Dimensions in mm (1mm=0.0394") Type VRSM VRRM VDSM VDRM V V STT800GK08PT 900 800 STT800GK12PT 1300 1200 STT800GK14PT 1500 1400 STT800GK16PT 1700 1600 STT800GK18PT 1900 1800 Symbol Test Conditions Maximum Ratings Unit A ITAV TC=85oC; 180o half sine wave,50HZ 800 1256 ITRMS TC=85oC; 180o Full cycle sine wave,50HZ A TVJ=TVJM 180o half sine wave,50HZ single pulse; 30.0 ITSM T =25oC VR=0; 35.0 C A 2 Gate pulse;20V,