T12M35T600B Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

T12M35T600B. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.35 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 12 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 100 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 10 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 400 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 62.5 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 2.2 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.78 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.85 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 13 mA
Ток удержания IH 20 mA
Корпус TO-220AB

T12M35T600B - English Version

Поиск замены для T12M35T600B

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

T12M35T600B Datasheet. Страница #1

T12M35T600B
 datasheet

Страница #2

T12M35T600B
 datasheet #2

Описание

LITE-ON T12M35T-B SERIES SEMICONDUCTOR TRIACS Triacs 12 AMPERES RMS Sillicon Bidirectional Thyristors 600 VOLTS TO-220AB FEATURES TO-220AB B L MAX. DIM. MIN. Blocking Voltage to 600 Volts M A C 14.22 15.88 Uniform Gate Trigger Currents in Three Quadrants, Q1, D B 9.65 10.67 Q2, and Q3 C A 2.54 3.43 K High Immunity to dv/dt — 400 V/us Min. at 125℃ D 5.84 6.86 E High Surge Current Capability — 100 Amperes PIN E 9.28 8.26 1 2 3 Pb Free Package F