T12M50F600B Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

T12M50F600B. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.35 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 12 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 100 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 100 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 62.5 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 2 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.9 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.75 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 12 mA
Ток удержания IH 6 mA
Корпус TO-220AB

T12M50F600B - English Version

Поиск замены для T12M50F600B

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

T12M50F600B Datasheet. Страница #1

T12M50F600B
 datasheet

Страница #2

T12M50F600B
 datasheet #2

Описание

LITE-ON T12M50F-B SERIES SEMICONDUCTOR TRIACS Triacs 12 AMPERES RMS Sillicon Bidirectional Thyristors 600 VOLTS TO-220AB TO-220AB FEATURES B L DIM. MIN. MAX. M Blocking Voltage to 600 Volts C A 14.22 15.88 All Diffused and Glass Passivated Junctions for D B 9.65 10.67 Greater Parameter Uniformity and Stability C A 2.54 3.43 K Gate Triggering Guaranteed in Four Modes D E 5.84 6.86 PIN Pb Free Package E 9.28 8.26 1 2 3 F - 6.35 F O G 14.73 12.70