T1M3F600A Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

T1M3F600A. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.1 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 1 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 10 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 60 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 150 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 75 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.66 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.9 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 3 mA
Ток удержания IH 1.5 mA
Корпус TO-92

T1M3F600A - English Version

Поиск замены для T1M3F600A

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

T1M3F600A Datasheet. Страница #1

T1M3F600A
 datasheet

Страница #2

T1M3F600A
 datasheet #2

Описание

LITE-ON T1M3F-A SERIES SEMICONDUCTOR TRIACs Sensitive Gate Triacs 1.0 AMPERES RMS Sillicon Bidirectional Thyristors 400 thru 600 VOLTS TO-92 (TO-226AA) FEATURES One-Piece, Injection-Molded Package TO-92 Blocking Voltage to 600 Volts DIM. MIN. MAX. Sensitive Gate Triggering in Four Trigger Modes A 4.45 4.70 (Quadrants) for all possible Combinations of Trigger B 4.32 5.33 Sources, and especially for Circuits that Source Gate 3.18 C 4.19 Drives D 1.15 1.39 All Di