T4M10T600F Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

T4M10T600F. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.5 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 40 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 75 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 20 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 6 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.6 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 10 mA
Ток удержания IH 15 mA
Корпус TO-225

T4M10T600F - English Version

Поиск замены для T4M10T600F

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

T4M10T600F Datasheet. Страница #1

T4M10T600F
 datasheet

Страница #2

T4M10T600F
 datasheet #2

Описание

LITE-ON T4M10T600F SEMICONDUCTOR TRIACS Triacs 4 AMPERES RMS Sillicon Bidirectional Thyristors 600 VOLTS TO-126 FEATURES Passivated Die for Reliability and Uniformity Four-Quadrant Triggering Blocking Voltage to 600 V Low Level Triggering and Holding Characteristics Pb-Free Package PIN ASSIGNMENT 1 Main Terminal 1 2 Main Terminal 2 3 Gate 4 Main Terminal 2 MAXIMUM RATINGS (Tj= 25℃ unless otherwise noticed) Rating Symbol Value Unit Peak Repetitive Of