T4M3F600B Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

T4M3F600B. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.1 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 40 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 5 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 62.5 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 2.2 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.62 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.6 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 1.8 mA
Ток удержания IH 1.5 mA
Корпус TO-220AB

T4M3F600B - English Version

Поиск замены для T4M3F600B

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

T4M3F600B Datasheet. Страница #1

T4M3F600B
 datasheet

Страница #2

T4M3F600B
 datasheet #2

Описание

LITE-ON T4M3F600B SEMICONDUCTOR TRIACS Sensitive Gate Triacs 4 AMPERES RMS Sillicon Bidirectional Thyristors 600 VOLTS TO-220AB FEATURES TO-220AB B L Passivated Die for Reliability and Uniformity DIM. MIN. MAX. M A 14.22 15.88 C Four-Quadrant Triggering D B 9.65 10.67 Blocking Voltage to 600 V A C K 2.54 3.43 On-State Current Rating of 4.0 Amperes RMS at 93° C P E D 5.84 6.86 PIN Low Level Triggering and Holding Characteristics E 9.28 8.26 1 2 3 Pb-Free