T6401N Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

T6401N. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 30 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 300 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 2.5 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2.5 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 50 mA
Ток удержания IH 60 mA
Корпус DIGI-PF1

T6401N - English Version

Поиск замены для T6401N

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

T6401N Datasheet. Страница #1

T6401N
 datasheet

Страница #2

T6401N
 datasheet #2

Описание

DI GI TRON S EMI CONDUCTORS T6401 SERIES BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTORS Available Non-RoHS (standard) or RoHS compliant (add PBF suffix). Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number. MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Repetitive peak off-stage voltage, gate open (TJ = -65 to +100°C) T6401B VDRM 200 Volts T6401D 400 T6401M 600 RMS on-state current (conduction angle = 360°, TC ≤ 65°C) I