T8M50F600B Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

T8M50F600B. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.5 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 100 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 5 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 2.2 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.9 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.55 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 12 mA
Ток удержания IH 6 mA
Корпус TO-220AB

T8M50F600B - English Version

Поиск замены для T8M50F600B

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

T8M50F600B Datasheet. Страница #1

T8M50F600B
 datasheet

Страница #2

T8M50F600B
 datasheet #2

Описание

LITE-ON T8M50F-B SERIES SEMICONDUCTOR TRIACS Triacs 8 AMPERES RMS Sillicon Bidirectional Thyristors 600 VOLTS TO-220AB FEATURES Blocking Voltage to 600 Volts TO-220AB B L DIM. MIN. MAX. All Diffused and Glass Passivated Junctions for M A C 14.22 15.88 Greater Parameter Uniformity and Stability D B 9.65 10.67 Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low C A 2.54 3.43 K Thermal Resistance, High Heat Dissipation and D 5.84 6.86 E Durability PIN E 9.28 8.