T8M50T600B Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

T8M50T600B. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.35 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 80 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 6.5 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 500 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 62.5 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 2.2 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.69 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.6 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 16 mA
Ток удержания IH 30 mA
Корпус TO-220AB

T8M50T600B - English Version

Поиск замены для T8M50T600B

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

T8M50T600B Datasheet. Страница #1

T8M50T600B
 datasheet

Страница #2

T8M50T600B
 datasheet #2

Описание

LITE-ON T8M50T600B SEMICONDUCTOR TRIACS Sensitive Gate Triacs 8 AMPERES RMS Sillicon Bidirectional Thyristors 600 VOLTS TO-220AB FEATURES TO-220AB Blocking Voltage to 600 Volts B L DIM. MIN. MAX. M On-State Current Rating of 8.0 Amperes RMS at 100℃ A C 14.22 15.88 Uniform Gate Trigger Currents in Three Quadrants D B 9.65 10.67 High Immunity to dv/dt - 500 V/ms minimum at 125℃ C A 2.54 3.43 K Minimizes Snubber Networks for Protection D 5.84 6.86 E PIN E