T8M5F600B Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

T8M5F600B. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.5 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 80 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 25 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 60 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 2 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.5 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.65 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 5 mA
Ток удержания IH 10 mA
Корпус TO-220AB

T8M5F600B - English Version

Поиск замены для T8M5F600B

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

T8M5F600B Datasheet. Страница #1

T8M5F600B
 datasheet

Страница #2

T8M5F600B
 datasheet #2

Описание

LITE-ON T8M5F600B SEMICONDUCTOR TRIACS Sensitive Gate Triacs 8 AMPERES RMS Sillicon Bidirectional Thyristors 600 VOLTS TO-220AB FEATURES TO-220AB B L Sensitive Gate Triggering in 3 Modes for AC Triggering M DIM. MIN. MAX. C A on Sinking Current Sources 14.22 15.88 D B 10.67 9.65 Four Mode Triggering for Drive Circuits that Source C 2.54 3.43 A K Current D 5.84 6.86 E All Diffused and Glass-Passivated Junctions for PIN E 9.28 8.26 Parameter Uniformity an