T9S0122003DH DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

T9S0122003DH. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1200 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 2000 A

T9S0122003DH - English Version

Поиск замены для T9S0122003DH

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

T9S0122003DH Datasheet. Страница #1

T9S0122003DH
 datasheet

Страница #2

T9S0122003DH
 datasheet #2

Описание

T9S0__ Phase Control Thyristor Powerex, Inc., 173 Pavilion Ln, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724)925-7272 www.pwrx.com 2000 Amperes 1800 Volts The T9S0 SCR employs a Center‐Fired  amplifying gate structure which allows the  SCR to be reliably operated at high di/dt and  high dv/dt conditions in phase control  applications. FEATURES: Low On-State Voltage High di/dt Capability High dv/dt Capability Hermetic Ceramic Package Excellent Surge and I2t Ra