TIC106E SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

TIC106E. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 1.3 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 500 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 3.2 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 5 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 30 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 10 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 62.5 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 3.5 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.6 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.7 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.06 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-220

TIC106E - English Version

Поиск замены для TIC106E

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

TIC106E Datasheet. Страница #1

TIC106E
 datasheet

Страница #2

TIC106E
 datasheet #2

Описание

SEMICONDUCTORS TIC106A, TIC106B, TIC106C, TIC106D, TIC106E, TIC106M, TIC106N, TIC106S P-N-P-N SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTORS • 5 A Continuous On-State Current • 30 A Surge-Current • Glass Passivated Wafer • 100 V to 800 V Off-State Voltage • Max IGT of 200 µA • Compliance to ROHS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Value Symbol Ratings Unit A B C D E M S N Repetitive peak off-state voltage VDRM 100 200 300 400 500 600 700 800 V (see Note1) VRRM